Pesquisadores conseguem empilhar 120 camadas de memória DRAM 3D
Pesquisadores da indústria tecnológica estão constantemente buscando inovações que visam o avanço em diferentes áreas. Um novo exemplo tem a ver com memórias DRAM. Pesquisadores da Universidade de Gante, Bélgica, conseguiram empilhar com sucesso 120 camadas alternadas de silÃcio (Si) e silÃcio-germânio (SiGe) em um wafer de 300 mm, uma etapa fundamental para a criação de memórias 3D. O que é memória RAM? Memória RAM CAMM2 | O que muda no novo padrão? O principal desafio dessa tecnologia é a "incompatibilidade de rede" entre o silÃcio e o silÃcio-germânio. Seus cristais possuem espaçamentos atômicos levemente diferentes, o que causa tensão e pode gerar defeitos chamados deslocamentos quando as camadas são empilhadas. O artigo original publicado pelos pesquisadores compara esse desafio ao tentar construir uma torre com cartas de baralho de tamanhos diferentes: sem um alinhamento perfeito, a estrutura deforma e desmorona. Esses defeitos podem arruinar o desempenho de um chip de memória. -Entre no Canal do WhatsApp do Canaltech e fique por dentro das últimas notÃcias sobre tecnologia, lançamentos, dicas e tutoriais incrÃveis.- Desafios fÃsicos precisam ser superados para viabilizar a tecnologia Para superar essa barreira, os cientistas utilizaram técnicas avançadas de deposição epitaxial, um processo que eles comparam a pintar com gases, onde silano e germano são aplicados para formar camadas ultrafinas e precisas na superfÃcie do wafer. Ainda existem desafios fÃsicos a serem vencidos para que a inovação tecnológica chegue em seu estado final. O empilhamento de tantas camadas permitrá criar memórias com alta capacidade de armazenamento (Imagem: AIP Publishing) Atualmente, as memórias DRAM são fabricadas em uma arquitetura plana, o que limita sua densidade. A mudança para uma estrutura 3D permite colocar muito mais células de memória na mesma área, aumentando drasticamente a capacidade de armazenamento sem aumentar o tamanho fÃsico do chip. O sucesso no empilhamento de 120 camadas demonstra que o escalonamento vertical é viável. Este avanço não impacta apenas o futuro das memórias. As técnicas desenvolvidas são fundamentais para outras tecnologias de ponta, como os transistores Gate-All-Around (que a Intel trabalha com a litografia 18A) e até mesmo para a computação quântica, onde o controle atômico das camadas é essencial. Empresas como a Samsung já incluÃram a DRAM 3D em seus planos de desenvolvimento, sinalizando a importância estratégica dessa inovação. Veja mais do CTUP: Qual é a diferença entre memória cache e memória RAM? Como escolher a melhor memória RAM para o seu computador? Como descobrir o tamanho, tipo e a frequência da memória RAM do PC?  Leia a matéria no Canaltech.